-
2022-5-6MPCVD設(shè)備在沉積金剛石膜的工藝方面有什么共性？
-
2022-5-6MPCVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)基本組成有哪些？
-
2022-5-6MPCVD法相比其他等離子cvd法有什么優(yōu)勢(shì)？
-
2022-5-6什么是mpcvd？
-
2022-5-6為什么微波等離子體cvd法被認(rèn)為是最理想的沉積金剛石的方法？
更多
資訊動(dòng)態(tài)
資訊動(dòng)態(tài)
MPCVD設(shè)備在沉積金剛石膜的工藝方面具有以下共性∶
1. 碳源。包括各種含碳化合物甚至石墨，如烷、烴、烯、炔醇、酮、CO、CO2及CF4等；
2. 氫氣。這是抑制石墨形核、生長(zhǎng)并刻蝕共生石墨的主要?dú)怏w；
3. 合適的碳?xì)浔?。氣源中C/H比一般在10%以下；
4. 合適的基片溫度。除低溫沉積的特殊性外，基片溫度一般限制在700℃-1200℃的范圍內(nèi)；
5. 低的工作氣壓。一般小于一個(gè)大氣壓。
6. 氣體激活技術(shù)。至少要有一種（或幾種）氣體激活技術(shù)來(lái)激發(fā)碳源和氫氣，產(chǎn)生具有活性含碳基團(tuán)和原子氫的金剛石膜沉積氣氛。